体系的番号 |
JPMJPR08M2 |
DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR08M2 |
研究代表者 |
生嶋 健司 東京農工大学, 工学部, 准教授
|
研究期間 (年度) |
2008 – 2011
|
概要 | 本研究では、半導体量子構造によるテラヘルツ波の単一光子検出機構を応用して、局所領域からのテラヘルツ放射を超高感度で検出・イメージングする技術を開発します。特に、対象物の自発的放射を検出するパッシブ型の近接場テラヘルツセンシングの実現を目指します。このテラヘルツ計測技術は、半導体ナノ構造の発光過程探索や少数分子系における化学反応分析、生きている細胞・生体高分子の活性状態の可視化など広範囲な応用が期待されます。
|
研究領域 | 界面の構造と制御 |