半導体へテロ界面のスピン軌道相互作用制御による電気的スピン生成・検出機能の創製
| 体系的番号 |
JPMJPR08M4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR08M4 |
研究代表者 |
好田 誠 東北大学, 大学院工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2012
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| 概要 | 半導体ヘテロ界面のバンド不連続に起因したスピン軌道相互作用を積極的に活用し、磁場や強磁性体、偏光を必要としない半導体のみによる電気的スピン生成・検出機能を創製します。これまで未開拓であったスピン軌道相互作用の空間・時間変調を用いることによりスピンに依存した力やスピン流を誘起することが可能となります。半導体のみを用いるため既存の半導体プロセスと整合性が良く、将来性の高いスピン機能創製技術への展開も期待できます。
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| 研究領域 | 界面の構造と制御 |
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