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ナノ半導体への不純物ドーピング効果の解明と低抵抗ナノフィルム半導体の創製

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR08N2
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR08N2

研究代表者

内田 建  東京工業大学, 大学院理工学研究科, 准教授

研究期間 (年度) 2008 – 2010
概要ナノスケール半導体は、量子効果によりバルクと異なる性質を示すことが知られており、次世代情報処理デバイス用の高機能性材料として注目を集めています。一方で、半導体デバイスの実現には、ドナーやアクセプターとよばれる不純物原子を導入することが必要です。本研究では、ナノ半導体に不純物原子を高濃度で導入する方法を開発するとともに、ナノ半導体中での不純物原子の特異な性質を明らかします。
研究領域ナノ製造技術の探索と展開

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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