| 体系的番号 |
JPMJPR08O5 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR08O5 |
研究代表者 |
中 暢子 東京大学, 大学院工学系研究科, 講師
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 電子材料、光学材料、生体応用への期待が高いダイヤモンドを中心に高純度物質の電子状態に関わる物性パラメータを高精度に決定する究極的光技術を開拓します。電子励起状態のスピン構造、電子正孔系の不純物や格子欠陥への捕捉、欠陥と周りの高密度キャリアの相関やスピンデコヒーレンスの起源について実験的な知見を獲得し系統的な理解と議論を深め、ワイドギャップ半導体の特長を生かした光機能性を引き出す方法を探索します。
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| 研究領域 | 物質と光作用 |
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