| 体系的番号 |
JPMJSN08BF |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJSN08BF |
| 研究責任者 |
鈴木 拓 (独)物質・材料研究機構, 量子ビームセンター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 表面・界面の磁気構造の分析は、スピントロニクス開発などで強く要請されています。しかし、既存の分析法では表面敏感性や元素識別性の欠如により、この分析は困難でしたが、この分析を可能にする新手法として、偏極4He+ビームを用いるイオン散乱分光法(SP-ISS)を開発しました。本開発ではSP-ISSの要素技術である「偏極4He+イオン源」を開発してビームの高偏極化と大電流化とを同時に達成することで、SP-ISSの実用化に必要な測定感度を実現します。
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