極性な電子秩序とその崩壊で室温で動作するメモリー素子の開発と応用
研究代表者 |
池田 直 岡山大学, 大学院自然科学研究科, 教授
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研究期間 (年度) |
2008
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概要 | 室温にある電気分極を持つ電子の規則配列構造の崩壊と再凝集過程について詳細な検討を行い、この現象を応用した電子素子の原理動作提案を行う。このため,(1) RFe2O4バルク試料について化学当量比と酸素欠損量をパラメータとした多量の試料生産を行い、同時に (2)電子秩序強誘電性崩壊条件近傍にある非線形電気伝導特性の精密な再現条件を解明する。
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