酸化物へテロナノワイヤを用いたクロスバー構造メモリデバイスの開発

研究課題

研究代表者	柳田剛大阪大学, 産業科学研究所, 助手
研究期間 (年度)	2008
概要	従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を、?不揮発性メモリ効果、整流性及び電気伝導部位を兼ね備える酸化物ナノワイヤへテロ構造体を創成し、?作製されたヘテロナノワイヤをSiO2基板上でクロスバー構造化することにより実現する。