レーザ・プラズマ軟X線によるSi結晶化薄膜の作製と基礎評価に関する研究

研究課題

研究代表者	松尾直人兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2008
概要	本研究は、非晶質Si(a-Si)へのレーザ・プラズマ軟X線(LPX)照射による低温結晶化過程の中の核形成機構の解明に関する。具体的には集光させた高輝度LPXをa-Si薄膜に照射することにより200°C程度の低温でナノメートル寸法の微結晶粒(次段の粒成長における擬似結晶核となる)を形成し、連続して低輝度のLPX照射を行い既に形成されている微結晶粒を成長させ、新規結晶化法としても確立する。特にまだ明確になっていない擬似結晶核形成過程の物理を解明し、200°C以下で核形成/粒成長過程を制御することを目標とする。