研究代表者 |
四谷 任 大阪府立産業技術総合研究所, 情報電子部, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2008
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| 概要 | 過剰な窒素を含む金属窒化物はアモルファスに近い乱れた結晶構造を有する。そのため薄膜の電気抵抗の温度依存性に局在効果が出現し、電気抵抗は温度の減少とともに半導体的に増加する。この局在効果は極低温まで存在するため、室温からmKに至る広い温度範囲でリーズナブルな抵抗温度係数(感度)を有する温度センサの開発が期待できる。本研究では、室温からmK域まで合理的な感度を有し、再現性の高い薄膜温度センサの開発を行う。
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