ナノ磁性評価のための電界放出型高輝度スピン偏極電子源の開発

研究課題

研究代表者	畑浩一三重大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2008
概要	近年、電子スピンの自由度を電子デバイスの動作に応用するスピントロニクスの分野が注目されている。この分野の今後の発展のためには、磁性体のスピン物性を計測・評価する新規分析手法の開発が求められており、その評価プローブとしてスピン偏極電子線が期待されている。そこで本研究は、フェルミ準位でのスピン偏極度が100%であると理論予測されるハーフメタル強磁性体を陰極材料に用いて、電界放出型高輝度スピン偏極電子源の開発を行うものである。