研究代表者 |
佐々木 勝寛 名古屋大学, 大学院工学研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2008
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| 概要 | 電子デバイスの微細構造解析には、空間分解能の高い電子顕微鏡が良く用いられる。しかし、デバイス内の、電場・磁場の様相を高い空間分解能でとらえる技術は、限られた条件でしか開発されていない。本研究では、研究代表者が開発した、従来型透過顕微鏡内で、微細構造観察と同時に電場・磁場の空間分布を定量的に測定可能な影像歪法を用い、電子デバイス、たとえば電界放出電子ディスプレイ(FED)やプラズマディスプレイパネル(PDP)などの電極周囲の電場分布を直接測定し、電極形状開発に必要な電場分布と、デバイス劣化に伴う電場分布変化を直接測定することを試みる。
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