半導体故障解析のための三次元ドーパントプロファイリング法の開発

研究課題

研究代表者	山本和生ファインセラミックスセンター, ナノ構造研究所, 副主任研究員
研究期間 (年度)	2008
概要	電子線ホログラフィーは位相差分布Φ(x,y)を測定し、半導体中のドーパント分布を直視観察する有効な手法の1つである。しかし従来法では厚み分布を実測できないため、数百ナノメートル以下の均一な厚さに研磨された試料の二次元的なドーパント分布解析が、一般的分析レベルの限度であった。本研究ではトモグラフィーとホログラフィーを組み合わせた画期的なアイデアに基づき、薄片化できない立体構造を有するMOSFET中のドーパントを三次元で分布解析する手法を開発する。