超臨界流体を利用したSi融合三次元集積回路形成要素技術開発

研究課題

研究代表者	近藤英一山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教授
研究期間 (年度)	2008
概要	これまでの真空主体のプロセスに替えて超臨界流体を利用し、Si 基板上に分散しているメモリー、ロジック、MEMS/RF コンポーネント、センサ類を融合し、Si 集積回路の超小型多機能化を実現するための要素技術開発に関するものである。超高アスペクトのチップ貫通配線作製技術を完成を狙って高度化を図るとともに、高アスペクト構造内被覆絶縁膜、キャパシタや圧電MEMS 向けの酸化物堆積技術の可能性を検討する。