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高性能「歪みSi on Si(110)」電子デバイスの技術開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

有元 圭介  山梨大学, 医学工学総合研究部, 助教

研究期間 (年度) 2008
概要正孔移動度の向上に有効であると期待されているSi(110)基板上に成膜した「歪みSi/SiGeバッファー」構造を利用し、相補型金属酸化膜半導体トランジスタの動作特性を向上させようとするものである。従来の素子に対して正孔移動度を2倍程度向上させることを目的とする。これにより電子デバイスの高性能化と低消費電力化を目指すものである。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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