Si(111)面上GaSb系へテロエピタキシーによる低価格化赤外光素子

研究課題

研究代表者	内富直隆長岡技術科学大学, 工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2008
概要	Si(111)基板上にSb系半導体へテロエピタキシーを行いGaSb/AlGaSbおよびInを含む関連した多重量子井戸構造を作製し、その赤外発光・受光素子としての可能性を明らかにし、Si(111)基板を採用した低価格な光デバイスの実現を目指す。Sb系半導体の転位密度の低減のために超格子の採用やバッファー層の最適化を行う。また、選択エピタキシャルの導入によるSi半導体との複合化についても検討を行う。