スパッタ法によるシリコン上酸化物バッファ層を用いた強磁性薄膜積層化の検討

研究課題

研究代表者	秋山賢輔神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 研究員
研究期間 (年度)	2008
概要	シリコン(Si)基板上に高結晶品質なマグネシア(MgO)等の酸化物エピタキシャルバッファ層を量産可能な薄膜作製プロセスであるスパッタ法にて作製し、スピントロニクス用の強磁性薄膜(Fe3Si)をモノリシックに成長させて積層化技術を検討する。絶縁性をもった厚さ50nm程度のMgO薄膜等のバッファ層としての有用性を検証し、Si基板上あるいはワイドギャップ半導体である炭化珪素(SiC)基盤へのFeやFe3Si等のスピントロニクス材料の積層化の基盤技術を確立する。