1. 前のページに戻る

ワイドギャップ酸化物半導体薄膜作製技術の開発と応用

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

植杉 克弘  室蘭工業大学, 工学部, 助教授

研究期間 (年度) 2008
概要ワイドギャップ半導体は、シリコンに比べて低損失、耐電圧、高温動作に優れたデバイスを実現できる材料として期待されている。本研究では、窒化ガリウム上に格子不整合が小さく、ワイドギャップの酸化物半導体薄膜を作製する技術の開発を進め、酸化物/窒化物半導体ヘテロ構造を用いたパワーデバイスの開発を目的とする。

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst