アセチルアクトン亜鉛をMO-CVD原料としたa軸配向ZnO透明トランジスタの開発

研究課題

研究代表者	羽賀浩一仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授
研究期間 (年度)	2008
概要	本試験では、独自の製法により作製した昇華特性が安定なアセチルアセトン亜鉛(Zn(C5H7O2)2)ファイバーをMO-CVD原料としたa軸配向ZnO 透明トランジスタ(TFT)を開発することを目的とする。具体的には、本ファイバー原料を用いてZnO 薄膜の表面平坦性を向上させ、TFT の高速化に最適な配向面を有するa軸配向ZnO 薄膜を作製し、それを透明TFT の作製プロセスに応用してデバイスの基本特性である移動度、on/off 比の向上を確認する。