次世代情報通信システムのためのナノワイヤ/CMOS異種技術集積化の研究
研究代表者 |
和保 孝夫 上智大学, 理工学部, 教授
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研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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概要 | 本研究交流は高機能ナノワイヤ集積回路を実現し、CMOS大規模集積回路上に集積化させ、アナログ/デジタル(A/D)・インターフェイスを実現するための基板を構築することを目的とする。具体的には、日本側の高電子移動度トランジスタ(HEMT)や共鳴トンネルダイオード(RTD)のような最先端化合物半導体デバイスを用いた回路応用技術と、ドイツ側のMBE法やMOVPE法で作製したIII-V族化合物半導体を用いた最先端電子デバイス、光デバイスに関する知見を組み合わせ、InAsナノワイヤを用いたMISFET技術をSi CMOS技術プラットフォームに融合させる。日独が本研究交流を通じて相互補完的に取り組むことで、次世代情報通信システム開発へのブレークスルーをもたらし、新規産業分野を開拓することが期待される。
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研究領域 | ナノエレクトロニクス |