室温で動作するスピントロニクスナノデバイスの設計:スピン分解硬X線光電子分光による磁性体界面の研究
研究代表者 |
猪俣 浩一郎 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター, フェロー
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 本研究交流は磁性体のバルクおよび界面におけるスピン分極率の測定を可能にする、スピン分解硬X線電子分光技術の開発を目的とする。具体的には、日本側の強磁性トンネル接合技術を用いたホイスラー合金薄膜試料作製技術とSPring8における硬X線光電子分光の技術および装置(HAXPES)と、ドイツ側のホイスラー合金バルク材料の開発技術とスピン分解分光技術を組み合わせ、スピン分解HAXPES(SPINHASXPES)装置を開発し、磁性体のバルクおよび界面の評価を行う。日独が本研究交流を通じて相互補完的に取り組むことで、スピントロニクスデバイスの高性能化に寄与されることが期待される。
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| 研究領域 | ナノエレクトロニクス |
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