シリコンナノスピントロニクス素子実現につなげる不純物量子状態の解明と制御
研究代表者 |
伊藤 公平 慶應義塾大学, 理工学部, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 本研究交流は半導体の性質を制御するために添加されるシリコン中の不純物(ドーパント)の電荷依存現象およびスピン依存現象の解明を目的とする。具体的には、日本側の同位体工学および電子スピン共鳴、核スピン共鳴測定技術と、ドイツ側の半導体構造の磁気共鳴およびパルス電気検知磁気共鳴(EDMR)装置の開発技術を組み合わせ、従来の電荷依存現象に加えて、ナノシリコン中の少数そして最終的には単一のドーパントのスピン依存現象を明らかにする。日独が本研究交流を通じて相互補完的に取り組むことで、シリコン中の各種ドーパントの振る舞いの解明が進み、電気・磁気・光学素子としてのナノシリコン技術の新しい概念の創出が期待される。
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| 研究領域 | ナノエレクトロニクス |
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