次世代デバイスのためのナノスケール磁気ドメインのキャラクタリゼーション

研究課題

研究代表者	越川孝範大阪電気通信大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2008 – 2011
概要	本研究交流は、大容量、超高速、不揮発性という3つの大きな特性を持ったSPRAMならびにMRAM開発の基礎になる研究を行うものである。インド側のナノ磁性構造の作製技術と、日本側の磁区特性測定法等を組み合わせ、研究目的の達成を目指している。
研究領域	情報通信技術と他の分野を結合した複合領域

報告書

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