半導体局所プラズマ加工装置の開発

研究課題

体系的番号	JPMJSN09CA
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJSN09CA
企業責任者	(株)三友製作所
研究期間 (年度)	2009 – 2011
概要	半導体メーカー等への需要調査に基づき、半導体不良解析のためにシリコンやその酸化膜を局所的にエッチングできる装置の開発に成功しました。その開発過程で、プラズマガスを細い管に吸い込むと局所エッチングレートの向上および残渣を低減できることを新たに見い出しました。本開発では、この新方式を採用した半導体局所プラズマ加工装置の実用化に向けた開発を行います。