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グラフェン量子ドットを用いた新機能素子の実現

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR096B
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR096B

研究代表者

町田 友樹  東京大学, 生産技術研究所, 准教授

研究期間 (年度) 2009 – 2012
概要グラフェン(単層グラファイト)はディラックフェルミオンと呼ばれる相対論的粒子が電気伝導を担い、極めて特異な物性を示します。本研究提案では、既存の材料系では不可能な室温動作新機能素子の実現を目指します。具体的には、(1)室温において単一電子トランジスタとして動作するグラフェン量子ドット素子の作製、(2)グラフェンを利用した超高感度THz電磁波検出の実現、(3)グラフェン量子ドットにおけるスピン伝導制御の実現を目指します。
研究領域革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス

報告書

(1件)
  • 2012 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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