研究代表者 |
中村 浩之 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 特任助教
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 概要 | 誘電体中の電子スピンの方向を電気的に操作する手法を構築します。誘電体としては「スピン・軌道相互作用」という性質が非常に大きい「5d遷移金属元素」を含む材料を使い、シリコンなど通常の半導体では実現できないスピン機能を得ることを狙いとします。大きな目標として、誘電体中を流れる電子スピンの方向をゲート電界により数10nmで回転できる「ナノチャネル・スピントランジスタ」という、次世代型の論理回路の実現を目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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