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3端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR0945
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR0945

研究代表者

長谷川 剛  物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究者

研究期間 (年度) 2009 – 2014
概要ゲート電極から金属原子(イオン)を供給し、ソース/ドレイン電極をショートさせることで、高いON/OFF比を実現する3端子型不揮発性デバイスである「アトムトランジスター」を開発します。さらにアトムトランジスターを用いた新しい機能デバイスの開拓も行います。
研究領域次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

報告書

(2件)
  • 2014 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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