3端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発

研究課題

体系的番号	JPMJCR0945
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR0945
研究代表者	長谷川剛物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究者
研究期間 (年度)	2009 – 2014
概要	ゲート電極から金属原子(イオン)を供給し、ソース/ドレイン電極をショートさせることで、高いON/OFF比を実現する3端子型不揮発性デバイスである「アトムトランジスター」を開発します。さらにアトムトランジスターを用いた新しい機能デバイスの開拓も行います。
研究領域	次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

報告書

(2件)