3端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発
研究代表者 |
長谷川 剛 物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究者
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2014
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| 概要 | ゲート電極から金属原子(イオン)を供給し、ソース/ドレイン電極をショートさせることで、高いON/OFF比を実現する3端子型不揮発性デバイスである「アトムトランジスター」を開発します。さらにアトムトランジスターを用いた新しい機能デバイスの開拓も行います。
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| 研究領域 | 次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究 |
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