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ナノデバイスのピコ秒物理の解析による揺らぎ最小化設計指針の開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR0941
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR0941

研究代表者

大毛利 健治  早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 准教授

研究期間 (年度) 2009 – 2012
概要将来の超高速ナノスケールデバイスにおいては、時間的・空間的な統計数の欠如によりデバイス特性の記述が困難となります。本研究課題では、ナノデバイスのキャリア伝導を計測・解析し、非定常・非平衡状態のナノ伝導電子科学を深耕し、時間的・空間的な揺らぎが抑制されたナノデバイスの設計指針を開発します。
研究領域次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

報告書

(2件)
  • 2012 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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