ホイスラー合金電極を用いたスピントロニクス素子の界面構造・組成
研究代表者 |
宝野 和博 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター, センター長
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2009 – 2012
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| 概要 | 本研究交流は、ハーフメタルスピントロニクス素子実現に必要な界面構造・組成を明らかにし、ホイスラー合金を用いたスピントロニクス素子を高性能化に寄与することを目的とする。具体的には、日本側のナノ構造制御による垂直通電型巨大磁気抵抗効果(CPP-GMR)素子開発技術と、ドイツ側のトンネル磁気抵抗(TMR)素子開発技術とを組み合わせる。さらに、両国のレーザー3次元アトムプローブ法および高分解能電子顕微鏡法(HRTEM)による解析技術を組み合わせ、これらの素子の伝導特性と界面の構造・組成の因果関係を解明する。両国の研究チームが本研究交流を通じて相互補完的に取り組むことで、省電力型素子の開発を実現し、ハーフメタル電極を用いた種々のスピントロニクス素子開発の指針を与えることが期待される。
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| 研究領域 | ナノエレクトロニクス |
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