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置換原子配列の規則化による高性能熱電クラスレートの開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

赤井 光治  山口大学, 大学情報機構, 准教授

研究期間 (年度) 2009
概要クラスレート半導体はガラス並みに低い熱伝導度を持ち、n型で高い熱電性能が実現している。しかし移動度が単結晶でも15cm2/Vs程度であり、移動度の向上が大きな課題である。本研究では添加した遷移金属元素が特定の副格子サイトを置換する特性を利用し、キャリア補償のため添加される置換元素の配列を規則化することにより移動度を向上させる。これにより、クラスレート系で最も高い特性が報告されている単結晶Ba8Ga16Ge30と同等の性能を持つ新規n型クラスレートの焼結体作製を目標とする。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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