可視光応答型光触媒用酸窒化物半導体のバンドギャップエンジニアリング

研究課題

研究代表者	吉田岳人阿南工業高等専門学校, 機械工学科, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	本応募研究代表者が独自に開発した減圧反応性雰囲気パルスレーザーアブレーション(PLA)法を主体にした、薄膜・ナノ結晶育成法を、典型金属酸窒化物半導体の生成プロセスに応用する。先ず典型金属酸化物と窒化物が混晶を形成した際のエネルギーバンド構造変化(狭帯域化)を光物性的に明らかにし、次に可視光応答型酸窒化物半導体の薄膜・ナノ結晶育成法を構築する。ナノ領域(比表面積100 m2/g以上)の粒径を有する光触媒を実現することで、最終的には、現状の高温焼結法による酸窒化物半導体可視光応答型水分解触媒の量子収率を、大幅に向上させることを目標とする。