シリコン基板上の化合物半導体コーディネート成長技術の開発

研究課題

研究代表者	長谷川繁彦大阪大学, 産業科学研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	シリコン上の決められた位置に目的とする化合物半導体をプロセスが調和した形で形成する技術(以後、コーディネート成長技術)の開発を目指している。本課題では、InP系化合物半導体を取り上げ、良質な単結晶をシリコン基板上に位置、結晶形状を定めて成長することを目的とする。シリコン上InPコーディネート成長に必要な選択成長領域の諸パラメータおよび選択成長条件を実験的に明らかにし、デバイスレベルのナノ結晶成長技術を開発する。