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プラズマ支援分子線エピタキシ法形成ZnOナノ薄膜トランジスタの開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

村中 司  山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教

研究期間 (年度) 2009
概要プラズマ支援による高効率な酸素ラジカルを利用した『プラズマ支援分子線エピタキシ(PAMBE)法』と呼ばれる成長技術を用いて、スパッタ法よりも薄く、かつ、低温で、膜厚を精密に制御することで、薄膜トランジスタ(TFT)等に適するZnO膜を形成する技術である。本提案では、成膜パラメータと膜の結晶性について詳細検討・最適化するとともに、膜の構造および電気的特性を測定して、TFTに好適な成膜条件を検討する。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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