プラズマ支援分子線エピタキシ法形成ZnOナノ薄膜トランジスタの開発

研究代表者	村中司山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	プラズマ支援による高効率な酸素ラジカルを利用した『プラズマ支援分子線エピタキシ(PAMBE)法』と呼ばれる成長技術を用いて、スパッタ法よりも薄く、かつ、低温で、膜厚を精密に制御することで、薄膜トランジスタ(TFT)等に適するZnO膜を形成する技術である。本提案では、成膜パラメータと膜の結晶性について詳細検討・最適化するとともに、膜の構造および電気的特性を測定して、TFTに好適な成膜条件を検討する。