研究代表者 |
武山 真弓 北見工業大学, 工学部, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2009
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| 概要 | Si-ULSIのさらなる高集積化に、チップを3次元的に積層する実装技術が注目されている。中でも、積層チップ間を最短距離でつなぐSi貫通ビア配線の実現が鍵となるが、200°C以下で貫通電極を作製するプロセス開発が必須となる。現状ではこの要求を満足できるプロセスも材料も存在しないが、研究者は200°C程度以下のプロセスで貫通電極を実現できる新たな成膜技術と新規バリヤ材料を開発し、実用化に向けた装置化の基礎的部分を検討する。
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