高機能高電圧インパルス発生装置の開発と応用

研究課題

研究代表者	前山光明埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	インパルス電圧発生装置(以下 IG)は、レーザ媒体の励起や廃ガス処理など各種放電プラズマを生成するために利用される電源である。本研究では、高速半導体素子であるIGBTとマルクス回路の単純な従属トリガー方式、および、充電効率が高い共振充電方法を利用した高速半導体化IGの開発を目的とする。IGBT素子の特性を利用し、出力パルス幅1μs以下、50kV、繰り返し周波数10kHzを目標とする。