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(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

有元 圭介  山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教

研究期間 (年度) 2009
概要シリコン中の正孔移動度の向上を目的とした、(110)面上への歪みSi薄膜形成プロセスの改善に関する提案である。Si(110)面の活用及び歪み印加の効果を更に高めることにより、高正孔移動度の達成を目指す。これまでの研究成果を基礎に、さらなる移動度向上を実現するため、表面ラフネス改善プロセスの最適化などを行う。これにより、Si-CMOSデバイスの高速化を目指す。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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