(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用

研究課題

研究代表者	有元圭介山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	シリコン中の正孔移動度の向上を目的とした、(110)面上への歪みSi薄膜形成プロセスの改善に関する提案である。Si(110)面の活用及び歪み印加の効果を更に高めることにより、高正孔移動度の達成を目指す。これまでの研究成果を基礎に、さらなる移動度向上を実現するため、表面ラフネス改善プロセスの最適化などを行う。これにより、Si-CMOSデバイスの高速化を目指す。