SiC単結晶の放電加工ワイヤー技術開発と応用

研究課題

研究代表者	加藤智久産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 主任研究員
研究期間 (年度)	2009
概要	次世代パワーデバイス半導体材料であるSiC単結晶の難加工性を解決する新しい放電加工切断技術のための切断用ワイヤーおよびそのワイヤーシステムの開発を主な研究テーマとする。本研究にて、高能率・高精度・低損傷・低価格を実現する放電加工ワイヤー切断技術開発の促進を図り、従来技術であるダイヤモンドマルチワイヤーソーの代替化を狙う。