レーザーアニール低温結晶化技術による高性能フレキシブル圧電体フィルムの開発

研究課題

研究代表者	脇谷尚樹静岡大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2009
概要	研究者がこれまで開発してきたRFマグネトロンスパッタリング法による300°C以下におけるPtおよびLaNiO3酸化物電極の結晶化技術と、エキシマレーザー照射を用いたレーザーアニール法を組み合わせることにより、300°C以下での圧電体(PZT)薄膜の結晶化技術を応用し、300°C以下の温度で耐熱性を有するポリイミドフィルム上にこれらの材料を制膜することにより、フレキシブル素子としての機能を実証するものである。