MOSトランジスタによる薄膜構造体の応力検出技術の開発

研究課題

研究代表者	安藤妙子名古屋大学, 理工学部機械システム系・マイクロ機械システム工学科, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	薄膜構造体上に形成したMOSトランジスタを利用し、薄膜変形時における電気特性の変化から局所的な応力検出を実現する、新たな薄膜材料用機械的特性評価の方法を開発する。このためトランジスタを組み込んだ薄膜の引張試験を実施し、トランジスタのキャリア移動度と薄膜表面に生じる応力の関係を明確にする。トランジスタを応用することで、局所応力の測定が可能となる高空間分解能な応力検出センサの実現が期待できる。