静電誘導法を用いた超伝導体のナノ深さ表面抵抗測定装置

研究課題

研究代表者	孫勇九州工業大学, 工学研究院先端機能システム研究系, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	室温超伝導体は夢の材料として研究開発があくことなく続けられている。超伝導への転移は、表面から始まり内部へ浸透し最終的に超伝導状態になるプロセスである。表面超伝導がより高い転移温度をもつことは予想されていた。しかし、極表面抵抗率の測定技術がなかったため表面超伝導の理論発展や実用化が阻害されている。本研究では、静電誘導法を発明し、表面から深さ～1nmまでの表面抵抗率測定法を確立することを目標とする。