高効率スローライト生成を利用した全光バッファメモリの開発
研究代表者 |
鈴木 健伸 豊田工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
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研究期間 (年度) |
2009
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概要 | 光ファイバのブリルアン増幅を用いた光バッファメモリは、増幅過程でパルス幅が広がるために記憶容量が低下し、わずか1ビットの容量しか得られないと考えられてきた。本研究では、独自のdouble-gain and zero-gain法と高非線形のテルライトファイバとを用いることで、誘導ブリルアン増幅によるパルス広がりを極限まで抑制し、遅延時間とビットレートで決まる最大値まで記憶容量容量を増大し、これまで開発されていない高効率で実用的な可変全光型バッファメモリを実現することを目的とする。
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