SiC−JFETの実用化に向けた高性能パッケージの開発

研究課題

研究代表者	岡村勝也高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	SiCデバイスはワイドギャップ半導体であるために、低損失かつ高温動作が可能でありSiデバイスに置き換わる次世代デバイスとして期待されている。しかし、現状では素子開発の進む一方でその性能に見合うパッケージの開発が遅れているために一部のダイオードを除いては実用化されているとは言い難い。本研究では高温動作に耐え、熱伝導性に優れたパッケージを開発することにより、本デバイスの実用化を加速するものである。