次世代不揮発性メモリ開発に向けた超高密度金属酸化物ナノドットの創成

研究課題

研究代表者	中村芳明大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	情報技術の急激な進歩を背景に社会の高密度・大容量記録へのニーズは増大し、それに伴い、電界誘起巨大抵抗変化を利用したReRAM(Resistive random access memory)などの新規不揮発性メモリデバイス開発が盛んに行われている。しかしながら、更なる高密度記録を可能とする次世代メモリデバイスの開発が必要とされている。本研究では、薄膜ではなく超高密度・超微細構造を形成して、超高記録密度ReRAM実現の可能性を示すことを目的とした。具体的には、代表研究者独自の形成法を応用・発展させて、ReRAM材料の超微細構造を形成する新技術を開発し、電界誘起巨大抵抗変化効果を観測・解明を行う。