次世代SiC半導体デバイス開発に向けた短パルス金属イオンビーム技術の確立

研究課題

研究代表者	伊藤弘昭富山大学, 大学院理工学研究部, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	次世代型SiCデバイスの実用化を目指し、イオン注入とアニール処理が同時にできるSiCへの新しいイオン注入法の研究を行ってきた。イオン注入法では、n型・p型ドーパントが必要であり、n型ドーパント用の大電流パルスイオンビームの開発には成功した。本課題は、これまで開発してきたパルスイオンビーム技術に真空アーク放電を利用した金属イオン発生技術を融合することで、p型ドーパントとして機能するアルミニウムイオンビームの発生技術の確立を目指す。