超微小サイズ不揮発性MRAM素子の性能評価

研究課題

研究代表者	大兼幹彦東北大学, 工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	大容量・高速・低消費電力動作が可能な不揮発性磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のサイズ限界は、磁化の熱揺らぎ限界に起因し、CoPtのような高磁気異方性材料では数nm幅程度である。本研究では、直径が数nm程度のCoPtナノドットをCoPt/MgO層上に成長させ、1つのナノドットがトンネル磁気抵抗素子に対応する超微小MRAM素子を作製し、その特性を伝導性原子間力顕微鏡により評価する。