研究代表者 |
中野 由崇 中部大学, 総合工学研究所, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2009
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| 概要 | 次世代のGaN系高周波デバイスを実用化するには、デバイス特性を大きく左右するGaNエピウェハの欠陥準位密度低減による高品質化が最重要課題となる。本研究では、GaNウェハ中に存在する電気的に活性な欠陥準位を幅広いエネルギー範囲全域(0.6～4.0eV)で検出し、膜厚深さ方向分布も計測できる高分解能分析装置を開発する。さらに、計測した欠陥情報を成膜プロセスにフィードバックし、高品質GaNウェハの成膜技術の開発に繋げる。
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