プラズマ気相成長法による微結晶シリコン初期成長制御に関する研究

研究課題

研究代表者	古田守高知工科大学, ナノデバイス研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	本研究は、気相成長法による微結晶シリコン薄膜の初期成長(インキュベーション)制御を行い、高効率太陽電池や高性能薄膜トランジスタに使用可能、かつ大面積基板への展開が容易な高品質微結晶シリコン薄膜形成手法を開発するものである。