サファイア基板を要しない窒化ガリウム局所形成を行なう新プロセスの開発

研究課題

研究代表者	柳澤淳一滋賀県立大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2009
概要	本研究では窒化シリコン(SiN)薄膜が形成された基板に低エネルギーGaイオンを注入して表面付近に窒化ガリウム(GaN)を形成し、これを結晶成長の種として用いて通常の有機金属化学気相成長を行うことで、GaN層をSiN薄膜上のGaイオン注入領域にのみ成長させるプロセスの開発を目指す。Gaイオン照射・未照射表面におけるGaN選択成長が完全に実現でき、GaNの結晶性を改善するための成長条件の最適化について検討を行う。