1. 前のページに戻る

サファイア基板を要しない窒化ガリウム局所形成を行なう新プロセスの開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

柳澤 淳一  滋賀県立大学, 工学部, 教授

研究期間 (年度) 2009
概要本研究では窒化シリコン(SiN)薄膜が形成された基板に低エネルギーGaイオンを注入して表面付近に窒化ガリウム(GaN)を形成し、これを結晶成長の種として用いて通常の有機金属化学気相成長を行うことで、GaN層をSiN薄膜上のGaイオン注入領域にのみ成長させるプロセスの開発を目指す。Gaイオン照射・未照射表面におけるGaN選択成長が完全に実現でき、GaNの結晶性を改善するための成長条件の最適化について検討を行う。

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst