応用プロセス用大口径・高密度・低アスペクト比化されたヘリコンプラズマ源の開発

研究課題

研究代表者	篠原俊二郎九州大学, 総合理工学研究院, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	LSI用のシリコンウエハ、液晶表示、太陽電池などの大型化のための半導体薄膜の形成やエッチングなどの産業応用およびプラズマロケット等には、15インチ以上の大口径・高密度のプラズマ源が不可欠である。特にヘリコンプラズマは高密度が容易に得られるため、次世代プラズマ源として注目を集めている。本研究では、直径40cmと74cmの世界最大級の大口径装置で、0.5以下の低アスペクト比でも1012cm-3以上の高密度ヘリコンプラズマを生成できるかという可能性に挑戦し、その特性を評価する。