窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発

研究課題

研究代表者	劉玉懐東北大学, 金属材料研究所, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	持続可能な社会の実現のため、エネルギ問題は急務である。地球外から得られるエネルギである太陽光を利用する太陽電池は、この解決策の一つである。現用の太陽電池はシリコン製であり、その効率は最大22%である。Geや化合物半導体基板上に数種の半導体を積層して高効率化を図る試みもあるが、技術的に困難性を伴い、それに伴い作製コストは高く、廉価・高効率太陽電池の実現は難しい。本課題は、Si基板上の表裏に光の吸収波長の異なる窒化物半導体を積層した構造の太陽電池の提案である。本課題の目標は、超高効率「太陽電池」要素技術であるIn組成InGaN薄膜結晶成長技術の確立である。