書換消費電力の低減を目指した「PRAM用:新規Ge-Cu-Te合金」相変化材料の開発

研究課題

研究代表者	須藤祐司東北大学, 工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	次世代不揮発性メモリとして、コスト・集積度面で有利な相変化メモリ(PRAM)が注目を浴びている。PRAMは高抵抗アモルファス相と低抵抗結晶相の抵抗差を利用して情報を記録するメモリでありジュール熱を利用し相変化させる。現在PRAM材料として、Ge-Sb-Teが研究の主役となっているが、書換電力が高い課題を有する。本研究では、書換電力低減を可能とする低融点・高結晶化温度を併せ持つ新規相変化材料を開発する。